: | HD60P03 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | HL(豪林) |
: | - |
: | - |
: | 0.001克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.632
3.16
50
0.5056
25.28
150
0.45
67.5
500
0.3776
188.8
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id) | 50A |
功率(Pd) | 60W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 13mΩ@10V,15A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.7nF@15V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 108pF@15V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |