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芯奇士电子
| ： | IRF640 |
|---|---|
| ： | 场效应管(MOSFET) |
| ： | minos(迈诺斯) |
| ： | - |
| ： | - |
| ： | 2.7328克(g) |
| ： | 5001 |
| ： | - |
1
1.3305
1.3305
10
1.0835
10.835
50
0.948
47.4
100
0.8071
80.71
500
0.7521
376.05
1000
0.7111
711.1
| TYPE | DESCRIPTION |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 功率(Pd) | 31W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 130mΩ@10V,7.5A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 23nC@10V |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.32nF@25V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF@25V |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
