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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>IRF740
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IRF740
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
-
-
2.62克(g)
5001
-
: 2.15
: 5001

1

2.15

2.15

10

1.83

18.3

50

1.69

84.5

100

1.51

151

500

1.44

720

1000

1.39

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image of 场效应管(MOSFET)>IRF740
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IRF740
IRF740
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
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2.62克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)400V
连续漏极电流(Id)10A
功率(Pd)100W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ@10V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)32nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.162nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)17pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
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0755-83225727

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