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芯奇士电子

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IRF840
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
-
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2.43克(g)
5001
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: 1.39
: 5001

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image of 场效应管(MOSFET)>IRF840
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IRF840
IRF840
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
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2.43克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)10A
功率(Pd)60W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)730mΩ@10V,6.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)25nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.57nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
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0755-83225727

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