: | IRF840 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | minos(迈诺斯) |
: | - |
: | - |
: | 2.43克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
1.39
1.39
10
1.22
12.2
50
1.16
58
100
1.07
107
500
0.89
445
1000
0.87
870
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 500V |
连续漏极电流(Id) | 10A |
功率(Pd) | 60W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 730mΩ@10V,6.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.57nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 15pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |