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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>IRFZ44N
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IRFZ44N
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
-
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2.8691克(g)
5001
-
: 1.2436
: 5001

1

1.2436

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44.18

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1000

0.6659

665.9

image of 场效应管(MOSFET)>IRFZ44N
image of 场效应管(MOSFET)>IRFZ44N
IRFZ44N
IRFZ44N
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
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2.8691克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)60A
功率(Pd)87W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)12mΩ@10V,25A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)31nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)910pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)30pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
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0755-83225727

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