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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>JCS4N60RC
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JCS4N60RC
场效应管(MOSFET)
吉林华微
-
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0.44克(g)
5005
-
: 1.1306
: 5005

5

1.1306

5.653

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0.7467

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image of 场效应管(MOSFET)>JCS4N60RC
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JCS4N60RC
JCS4N60RC
场效应管(MOSFET)
吉林华微
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0.44克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)4A
功率(Pd)159.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17.5nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)642.1pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)3.06pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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