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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>JST60N30D3
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JST60N30D3
场效应管(MOSFET)
JESTEK(吉思泰)
-
-
0.11克(g)
5005
-
: 0.437916
: 5005

5

0.437916

2.18958

50

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18.0958

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145.208

image of 场效应管(MOSFET)>JST60N30D3
image of 场效应管(MOSFET)>JST60N30D3
JST60N30D3
JST60N30D3
场效应管(MOSFET)
JESTEK(吉思泰)
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0.11克(g)
5005
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)54A
功率(Pd)41W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)7mΩ@10V,12A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)30.1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.07nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)118pF@15V
工作温度-
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0755-83225727

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