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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>KY2301S
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KY2301S
场效应管(MOSFET)
KY(韩景元)
-
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0.032克(g)
5050
-
: 0.034926
: 5050

50

0.034926

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500

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image of 场效应管(MOSFET)>KY2301S
image of 场效应管(MOSFET)>KY2301S
KY2301S
KY2301S
场效应管(MOSFET)
KY(韩景元)
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0.032克(g)
5050
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2A
功率(Pd)960mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)120mΩ@4.5V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)2.3nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)250pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)24pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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