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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>KY2N7002K
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KY2N7002K
场效应管(MOSFET)
KY(韩景元)
-
-
0.033克(g)
5050
-
: 0.062582
: 5050

50

0.062582

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image of 场效应管(MOSFET)>KY2N7002K
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KY2N7002K
KY2N7002K
场效应管(MOSFET)
KY(韩景元)
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0.033克(g)
5050
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)340mA
功率(Pd)830mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.3Ω@10V,500mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)280pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)22.8pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)2.9pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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