: | MDT18N20 |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | minos(迈诺斯) |
: | - |
: | - |
: | 0.42克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
1.2683
6.3415
50
1.0323
51.615
150
0.9283
139.245
500
0.8087
404.35
2500
0.7157
1789.25
5000
0.6877
3438.5
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 18A |
功率(Pd) | 100W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 130mΩ@10V,7.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 23nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.32nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 130pF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |