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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MDT18N20
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MDT18N20
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
-
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0.42克(g)
5005
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: 1.2683
: 5005

5

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0.6877

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image of 场效应管(MOSFET)>MDT18N20
image of 场效应管(MOSFET)>MDT18N20
MDT18N20
MDT18N20
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
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0.42克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
功率(Pd)100W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)130mΩ@10V,7.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)23nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.32nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)130pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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