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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MDT20N06
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MDT20N06
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
-
-
0.44克(g)
5005
-
: 0.395545
: 5005

5

0.395545

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50

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image of 场效应管(MOSFET)>MDT20N06
image of 场效应管(MOSFET)>MDT20N06
MDT20N06
MDT20N06
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
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0.44克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
功率(Pd)44W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@10V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)21nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)670pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)66pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
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0755-83225727

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