: | MDT20N06 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | minos(迈诺斯) |
: | - |
: | - |
: | 0.44克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.395545
1.977725
50
0.319089
15.95445
150
0.285862
42.8793
500
0.255941
127.9705
2500
0.223359
558.3975
5000
0.217391
1086.955
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
连续漏极电流(Id) | 20A |
功率(Pd) | 44W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,10A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.8V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 21nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 670pF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 66pF@25V |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |