: | MDT35P10D |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | minos(迈诺斯) |
: | - |
: | - |
: | 0.4346克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.944415
4.722075
50
0.82484
41.242
150
0.782165
117.32475
500
0.711535
355.7675
3000
0.69116
2073.48
6000
0.666935
4001.61
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id) | 35A |
功率(Pd) | 180W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 26mΩ@10V,15A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 40nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.315nF@25V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 11pF@25V |
工作温度 | - |