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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MDT35P10D
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MDT35P10D
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
-
-
0.4346克(g)
5005
-
: 0.944415
: 5005

5

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image of 场效应管(MOSFET)>MDT35P10D
image of 场效应管(MOSFET)>MDT35P10D
MDT35P10D
MDT35P10D
场效应管(MOSFET)
minos(迈诺斯)
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0.4346克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)35A
功率(Pd)180W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26mΩ@10V,15A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.315nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)11pF@25V
工作温度-
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0755-83225727

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