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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MOT1113T
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MOT1113T
场效应管(MOSFET)
MOT(仁懋)
-
-
0.9415克(g)
5001
-
: 9.51
: 5001

1

9.51

9.51

10

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82.1

30

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222.3

100

6.58

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6.2

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1000

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image of 场效应管(MOSFET)>MOT1113T
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MOT1113T
MOT1113T
场效应管(MOSFET)
MOT(仁懋)
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0.9415克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)500A
功率(Pd)500W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.3mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)161nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)13.574nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)196pF@50V
工作温度-55℃~+175℃
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0755-83225727

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