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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MOT4N65D
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MOT4N65D
场效应管(MOSFET)
MOT(仁懋)
-
-
0.44克(g)
5005
-
: 0.6122
: 5005

5

0.6122

3.061

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24.71

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0.3361

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5000

0.3221

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image of 场效应管(MOSFET)>MOT4N65D
image of 场效应管(MOSFET)>MOT4N65D
MOT4N65D
MOT4N65D
场效应管(MOSFET)
MOT(仁懋)
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0.44克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)4A
功率(Pd)50W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.41Ω@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)19nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)520pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)13pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
captcha

0755-83225727

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