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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MOT5N50D
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MOT5N50D
场效应管(MOSFET)
MOT(仁懋)
-
-
0.47克(g)
5005
-
: 0.7855
: 5005

5

0.7855

3.9275

50

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31.565

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2500

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5000

0.4128

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image of 场效应管(MOSFET)>MOT5N50D
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MOT5N50D
MOT5N50D
场效应管(MOSFET)
MOT(仁懋)
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0.47克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)5A
功率(Pd)50W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,2.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)625pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
captcha

0755-83225727

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