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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MOT8N65MD
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MOT8N65MD
场效应管(MOSFET)
MOT(仁懋)
-
-
0.46克(g)
5001
-
: 1.63
: 5001

1

1.63

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10

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1000

0.86

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image of 场效应管(MOSFET)>MOT8N65MD
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MOT8N65MD
MOT8N65MD
场效应管(MOSFET)
MOT(仁懋)
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0.46克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)8A
功率(Pd)55W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.2Ω@10V,4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)28nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)965pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)12pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
captcha

0755-83225727

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