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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MS100N20IDC0
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MS100N20IDC0
场效应管(MOSFET)
MASPOWER(麦思浦)
-
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7.79克(g)
5001
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: 13.83
: 5001

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image of 场效应管(MOSFET)>MS100N20IDC0
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MS100N20IDC0
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场效应管(MOSFET)
MASPOWER(麦思浦)
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7.79克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)100A
功率(Pd)187.5W;375W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@10V,50A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250μA
栅极电荷(Qg@Vgs)130nC
输入电容(Ciss@Vds)5.871nF
反向传输电容(Crss@Vds)165pF
工作温度-55℃~+150℃
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0755-83225727

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