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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MS15N100HGT1
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MS15N100HGT1
场效应管(MOSFET)
MASPOWER(麦思浦)
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2.9克(g)
5001
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: 16.3
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16.3

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image of 场效应管(MOSFET)>MS15N100HGT1
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MS15N100HGT1
MS15N100HGT1
场效应管(MOSFET)
MASPOWER(麦思浦)
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2.9克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)15A
功率(Pd)67.9W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)900mΩ@10V,7.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100μA
栅极电荷(Qg@Vgs)61nC
输入电容(Ciss@Vds)2.7nF
反向传输电容(Crss@Vds)30pF
工作温度-55℃~+175℃
captcha

0755-83225727

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