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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>MS3N100HGD0
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MS3N100HGD0
场效应管(MOSFET)
MASPOWER(麦思浦)
-
-
0.38克(g)
5001
-
: 2.697
: 5001

1

2.697

2.697

10

2.223

22.23

30

1.9905

59.715

100

1.7485

174.85

500

1.609

804.5

1000

1.5345

1534.5

image of 场效应管(MOSFET)>MS3N100HGD0
image of 场效应管(MOSFET)>MS3N100HGD0
MS3N100HGD0
MS3N100HGD0
场效应管(MOSFET)
MASPOWER(麦思浦)
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0.38克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)3A
功率(Pd)50W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.2Ω@10V,1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@100μA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC
输入电容(Ciss@Vds)390pF
反向传输电容(Crss@Vds)5.5pF
工作温度-55℃~+175℃
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0755-83225727

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