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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>NP2300MR-Y-G
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NP2300MR-Y-G
场效应管(MOSFET)
natlinear(南麟)
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0.033克(g)
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image of 场效应管(MOSFET)>NP2300MR-Y-G
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NP2300MR-Y-G
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场效应管(MOSFET)
natlinear(南麟)
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
功率(Pd)1.4W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)24mΩ@4.5V,5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)660mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12.5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)525pF@8V
反向传输电容(Crss@Vds)75pF@8V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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