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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>NP60S04D6
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NP60S04D6
场效应管(MOSFET)
natlinear(南麟)
-
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0.13克(g)
5005
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: 0.8516
: 5005

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image of 场效应管(MOSFET)>NP60S04D6
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NP60S04D6
NP60S04D6
场效应管(MOSFET)
natlinear(南麟)
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0.13克(g)
5005
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)60A
功率(Pd)35W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.9mΩ@10V,20A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)17nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)740pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)36pF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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