: | NP60S04D6 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | natlinear(南麟) |
: | - |
: | - |
: | 0.13克(g) |
: | 5005 |
: | - |
5
0.8516
4.258
50
0.699
34.95
150
0.6336
95.04
500
0.4988
249.4
2500
0.4558
1139.5
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id) | 60A |
功率(Pd) | 35W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.9mΩ@10V,20A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.7V@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 17nC@10V |
输入电容(Ciss@Vds) | 740pF@20V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 36pF@20V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |