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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>PJM10H01PSA
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PJM10H01PSA
场效应管(MOSFET)
PJSEMI(平晶微)
-
-
0.041克(g)
5020
-
: 0.26095
: 5020

20

0.26095

5.219

200

0.21795

43.59

600

0.19555

117.33

3000

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475.728

9000

0.149263

1343.367

21000

0.152963

3212.223

image of 场效应管(MOSFET)>PJM10H01PSA
image of 场效应管(MOSFET)>PJM10H01PSA
PJM10H01PSA
PJM10H01PSA
场效应管(MOSFET)
PJSEMI(平晶微)
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0.041克(g)
5020
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)1A
功率(Pd)500mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)650mΩ@10V,1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-
工作温度-
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0755-83225727

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