: | RC1012E |
---|---|
: | 场效应管(MOSFET) |
: | RealChip(正芯半导体) |
: | - |
: | - |
: | 0.08克(g) |
: | 5020 |
: | - |
20
0.134905
2.6981
200
0.106655
21.331
600
0.095405
57.243
3000
0.077555
232.665
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 750mA |
功率(Pd) | 350mW |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 270mΩ@4.5V,0.65A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 540mV@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 79pF@16V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 9pF@16V |