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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>RC1012E
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RC1012E
场效应管(MOSFET)
RealChip(正芯半导体)
-
-
0.08克(g)
5020
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: 0.134905
: 5020

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2.6981

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image of 场效应管(MOSFET)>RC1012E
image of 场效应管(MOSFET)>RC1012E
RC1012E
RC1012E
场效应管(MOSFET)
RealChip(正芯半导体)
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0.08克(g)
5020
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)750mA
功率(Pd)350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)270mΩ@4.5V,0.65A
阈值电压(Vgs(th)@Id)540mV@250uA
输入电容(Ciss@Vds)79pF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)9pF@16V
captcha

0755-83225727

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