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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>RC2101
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RC2101
场效应管(MOSFET)
RealChip(正芯半导体)
-
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0.06克(g)
5020
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: 0.108217
: 5020

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0.065427

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image of 场效应管(MOSFET)>RC2101
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RC2101
RC2101
场效应管(MOSFET)
RealChip(正芯半导体)
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0.06克(g)
5020
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.4A
功率(Pd)290mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@4.5V,1.0A
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)640pF@8V
反向传输电容(Crss@Vds)82pF@8V
captcha

0755-83225727

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