: | RC2101 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | RealChip(正芯半导体) |
: | - |
: | - |
: | 0.06克(g) |
: | 5020 |
: | - |
20
0.108217
2.16434
200
0.087167
17.4334
600
0.079917
47.9502
3000
0.065427
196.281
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 1.4A |
功率(Pd) | 290mW |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V,1.0A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 700mV@250uA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.5nC@4.5V |
输入电容(Ciss@Vds) | 640pF@8V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 82pF@8V |