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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>RM135N100T2
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RM135N100T2
场效应管(MOSFET)
RECTRON(丽正)
-
-
1克(g)
5001
-
: 12.36
: 5001

1

12.36

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200

4.93

986

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1000

4.68

4680

image of 场效应管(MOSFET)>RM135N100T2
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RM135N100T2
RM135N100T2
场效应管(MOSFET)
RECTRON(丽正)
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1克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)135A
功率(Pd)220W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4.5mΩ@60A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)7.5nF@50V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
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0755-83225727

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