: | RM47N650T7 |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | RECTRON(丽正) |
: | - |
: | - |
: | 1克(g) |
: | 5000 |
: | - |
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 47A |
功率(Pd) | 417W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 81mΩ@15.6A,10V |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.1119nF@25V |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |