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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>RM47N650T7
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RM47N650T7
场效应管(MOSFET)
RECTRON(丽正)
-
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1克(g)
5000
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image of 场效应管(MOSFET)>RM47N650T7
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RM47N650T7
RM47N650T7
场效应管(MOSFET)
RECTRON(丽正)
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1克(g)
5000
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)47A
功率(Pd)417W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)81mΩ@15.6A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)3.1119nF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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