:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>RM60P04Y
  • image of 场效应管(MOSFET)>RM60P04Y
RM60P04Y
场效应管(MOSFET)
RECTRON(丽正)
-
-
1克(g)
5001
-
: 1.6754
: 5001

1

1.6754

1.6754

200

0.6658

133.16

500

0.6439

321.95

1000

0.6381

638.1

image of 场效应管(MOSFET)>RM60P04Y
image of 场效应管(MOSFET)>RM60P04Y
RM60P04Y
RM60P04Y
场效应管(MOSFET)
RECTRON(丽正)
-
-
1克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4A
功率(Pd)1.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)120mΩ@4A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)930pF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0