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芯奇士电子

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RM90N30LD
场效应管(MOSFET)
RECTRON(丽正)
-
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1克(g)
5000
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image of 场效应管(MOSFET)>RM90N30LD
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RM90N30LD
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场效应管(MOSFET)
RECTRON(丽正)
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1克(g)
5000
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
功率(Pd)105W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5.8mΩ@20A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)3.433nF@15V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
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0755-83225727

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