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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>SI2303
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SI2303
场效应管(MOSFET)
KEXIN(科信)
-
-
0.039克(g)
5010
-
: 0.24522
: 5010

10

0.24522

2.4522

100

0.19522

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image of 场效应管(MOSFET)>SI2303
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SI2303
SI2303
场效应管(MOSFET)
KEXIN(科信)
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0.039克(g)
5010
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)1.7A
功率(Pd)1.25W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)200mΩ@10V,1.7A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)5.8nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)226pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)19pF@15V
工作温度-
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0755-83225727

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