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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>SVD9Z24NT
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SVD9Z24NT
场效应管(MOSFET)
SILAN(士兰微)
-
-
2.64克(g)
5005
-
: 1.2689
: 5005

5

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6.3445

50

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50.65

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136.56

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0.7801

390.05

2000

0.7153

1430.6

image of 场效应管(MOSFET)>SVD9Z24NT
image of 场效应管(MOSFET)>SVD9Z24NT
SVD9Z24NT
SVD9Z24NT
场效应管(MOSFET)
SILAN(士兰微)
-
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2.64克(g)
5005
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)12A
功率(Pd)45W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)175mΩ@10V,7.2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.6nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)300pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)18pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
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0755-83225727

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