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芯奇士电子

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TSA20N60MR
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
-
-
6.8克(g)
5001
-
: 5.78
: 5001

1

5.78

5.78

10

4.89

48.9

30

4.39

131.7

90

3.83

344.7

image of 场效应管(MOSFET)>TSA20N60MR
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TSA20N60MR
TSA20N60MR
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
-
-
6.8克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
功率(Pd)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-
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0755-83225727

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