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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>TSD16N25M
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TSD16N25M
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
-
-
0.4克(g)
5001
-
: 1.6075
: 5001

1

1.6075

1.6075

10

1.3243

13.243

30

1.2015

36.045

100

1.0559

105.59

500

0.9899

494.95

1000

0.8517

851.7

image of 场效应管(MOSFET)>TSD16N25M
image of 场效应管(MOSFET)>TSD16N25M
TSD16N25M
TSD16N25M
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
-
-
0.4克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)16A
功率(Pd)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)250mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)-
栅极电荷(Qg@Vgs)-
输入电容(Ciss@Vds)-
反向传输电容(Crss@Vds)-
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0755-83225727

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