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芯奇士电子
| ： | TSD18N20M |
|---|---|
| ： | 场效应管(MOSFET) |
| ： | Truesemi(信安) |
| ： | - |
| ： | - |
| ： | 0.46克(g) |
| ： | 5001 |
| ： | - |
1
1.56
1.56
10
1.26
12.6
30
1.13
33.9
100
0.97
97
500
0.94
470
1000
0.9
900
| TYPE | DESCRIPTION |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 连续漏极电流(Id) | 18A |
| 功率(Pd) | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - |
