: | TSF10N60M |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | Truesemi(信安) |
: | - |
: | - |
: | 2.76克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
1.97
1.97
10
1.77
17.7
50
1.4
70
100
1.3
130
500
1.25
625
1000
1.21
1210
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id) | 10A |
功率(Pd) | 52W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 800mΩ |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |