:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>TSF16N50MR
  • image of 场效应管(MOSFET)>TSF16N50MR
TSF16N50MR
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
-
-
2.8克(g)
5001
-
: 2.58
: 5001

1

2.58

2.58

10

2.32

23.2

50

2.2

110

100

2.07

207

500

1.85

925

1000

1.81

1810

image of 场效应管(MOSFET)>TSF16N50MR
image of 场效应管(MOSFET)>TSF16N50MR
TSF16N50MR
TSF16N50MR
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
-
-
2.8克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)16A
功率(Pd)38.5W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0