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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>TSF20N60MR
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TSF20N60MR
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
-
-
2.9克(g)
5001
-
: 3.3015
: 5001

1

3.3015

3.3015

10

2.948

29.48

50

2.781

139.05

100

2.604

260.4

500

2.3255

1162.75

1000

2.2695

2269.5

image of 场效应管(MOSFET)>TSF20N60MR
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TSF20N60MR
TSF20N60MR
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
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2.9克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)20A
功率(Pd)40W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)400mΩ
阈值电压(Vgs(th)@Id)5V@250uA
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0755-83225727

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