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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>TSK82N30M
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TSK82N30M
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
-
-
7.9克(g)
5001
-
: 20.94
: 5001

1

20.94

20.94

10

19.05

190.5

30

17.92

537.6

100

16.78

1678

500

16.25

8125

1000

16.02

16020

image of 场效应管(MOSFET)>TSK82N30M
image of 场效应管(MOSFET)>TSK82N30M
TSK82N30M
TSK82N30M
场效应管(MOSFET)
Truesemi(信安)
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7.9克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)300V
连续漏极电流(Id)82A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)460mΩ
captcha

0755-83225727

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