: | TSP18N20M |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | Truesemi(信安) |
: | - |
: | - |
: | 2.68克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
1.48
1.48
10
1.3
13
50
1.13
56.5
100
1.03
103
500
0.99
495
1000
0.97
970
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 200V |
连续漏极电流(Id) | 18A |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ |