:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>WFD2N65L
  • image of 场效应管(MOSFET)>WFD2N65L
WFD2N65L
场效应管(MOSFET)
Winsemi(稳先微)
-
-
0.458克(g)
5005
-
: 0.575733
: 5005

5

0.575733

2.878665

50

0.473733

23.68665

150

0.417733

62.65995

500

0.337534

168.767

2500

0.311934

779.835

5000

0.289134

1445.67

image of 场效应管(MOSFET)>WFD2N65L
image of 场效应管(MOSFET)>WFD2N65L
WFD2N65L
WFD2N65L
场效应管(MOSFET)
Winsemi(稳先微)
-
-
0.458克(g)
5005
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)2A
功率(Pd)35W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)5Ω@10V,1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0