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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>WNM2021-3/TR
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WNM2021-3/TR
场效应管(MOSFET)
WILLSEMI(韦尔)
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0.035克(g)
5010
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: 0.389495
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0.389495

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100

0.319594

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300

0.267166

80.1498

1000

0.227426

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0.217236

1086.18

image of 场效应管(MOSFET)>WNM2021-3/TR
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WNM2021-3/TR
WNM2021-3/TR
场效应管(MOSFET)
WILLSEMI(韦尔)
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0.035克(g)
5010
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)820mA
功率(Pd)310mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)310mΩ@4.5V,550mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)850mV@250uA
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0755-83225727

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