: | WNM2021-3/TR |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | WILLSEMI(韦尔) |
: | - |
: | - |
: | 0.035克(g) |
: | 5010 |
: | - |
10
0.389495
3.89495
100
0.319594
31.9594
300
0.267166
80.1498
1000
0.227426
227.426
5000
0.217236
1086.18
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 820mA |
功率(Pd) | 310mW |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 310mΩ@4.5V,550mA |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 850mV@250uA |