:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>WNM6002-3/TR
  • image of 场效应管(MOSFET)>WNM6002-3/TR
WNM6002-3/TR
场效应管(MOSFET)
WILLSEMI(韦尔)
-
-
0.032克(g)
5020
-
: 0.146707
: 5020

20

0.146707

2.93414

200

0.120611

24.1222

600

0.100557

60.3342

3000

0.098525

295.575

9000

0.088098

792.882

image of 场效应管(MOSFET)>WNM6002-3/TR
image of 场效应管(MOSFET)>WNM6002-3/TR
WNM6002-3/TR
WNM6002-3/TR
场效应管(MOSFET)
WILLSEMI(韦尔)
-
-
0.032克(g)
5020
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
功率(Pd)370mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,370mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0