: | MMBT5551T |
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: | 三极管(BJT) |
: | CBI(创基) |
: | - |
: | - |
: | 0.024克(g) |
: | 5050 |
: | - |
50
0.078912
3.9456
500
0.058016
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3000
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24000
0.037767
906.408
51000
0.034517
1760.367
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 三极管(BJT) |
晶体管类型 | NPN |
集电极电流(Ic) | 600mA |
集射极击穿电压(Vceo) | 160V |
功率(Pd) | 200mW |
直流电流增益(hFE@Ic,Vce) | 100@10mA,5V |
特征频率(fT) | 100MHz |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@50mA,5mA |
工作温度 | - |