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芯奇士电子

  • image of 三极管(BJT)>MMBT5551T
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MMBT5551T
三极管(BJT)
CBI(创基)
-
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0.024克(g)
5050
-
: 0.078912
: 5050

50

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image of 三极管(BJT)>MMBT5551T
image of 三极管(BJT)>MMBT5551T
MMBT5551T
MMBT5551T
三极管(BJT)
CBI(创基)
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0.024克(g)
5050
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TYPEDESCRIPTION
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)600mA
集射极击穿电压(Vceo)160V
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@10mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@50mA,5mA
工作温度-
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0755-83225727

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