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芯奇士电子

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DP2101W
场效应管(MOSFET)
Doeshare(德芯)
-
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0.03克(g)
5000
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image of 场效应管(MOSFET)>DP2101W
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DP2101W
DP2101W
场效应管(MOSFET)
Doeshare(德芯)
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0.03克(g)
5000
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2A
功率(Pd)700mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)90mΩ@4.5V,1.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)620mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.9nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)290pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)29pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
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0755-83225727

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