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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>FX2N7002KMEH-06S3G
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FX2N7002KMEH-06S3G
场效应管(MOSFET)
LYG(凌烟阁)
-
-
0.038克(g)
5000
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image of 场效应管(MOSFET)>FX2N7002KMEH-06S3G
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FX2N7002KMEH-06S3G
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场效应管(MOSFET)
LYG(凌烟阁)
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0.038克(g)
5000
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)320mA
功率(Pd)350mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3Ω@10V,500mA
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)800pC@5V
输入电容(Ciss@Vds)35F@25V
反向传输电容(Crss@Vds)7pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
captcha

0755-83225727

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