: | GC3M0075120D |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | SUPSiC(国晶微半导体) |
: | - |
: | - |
: | 8.134克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
26.39
26.39
10
23.02
230.2
30
20.97
629.1
90
19.25
1732.5
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | 1个N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
连续漏极电流(Id) | 30A |
功率(Pd) | 113.6W |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 75mΩ |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 54nC |