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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>GC3M0075120D
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GC3M0075120D
场效应管(MOSFET)
SUPSiC(国晶微半导体)
-
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8.134克(g)
5001
-
: 26.39
: 5001

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26.39

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image of 场效应管(MOSFET)>GC3M0075120D
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GC3M0075120D
GC3M0075120D
场效应管(MOSFET)
SUPSiC(国晶微半导体)
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8.134克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)30A
功率(Pd)113.6W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)75mΩ
栅极电荷(Qg@Vgs)54nC
captcha

0755-83225727

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