: | GPI65005DF |
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: | 场效应管(MOSFET) |
: | GaNPower(镓能) |
: | - |
: | - |
: | 1.13克(g) |
: | 5001 |
: | - |
1
14.16
14.16
10
12.4
124
30
11.35
340.5
100
10.28
1028
500
9.15
4575
1500
8.92
13380
TYPE | DESCRIPTION |
商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 650V |
连续漏极电流(Id) | 5A |
功率(Pd) | - |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 240mΩ@6V,2.5A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@1.75mA |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.6nC@6V |
输入电容(Ciss@Vds) | 45pF@400V |
反向传输电容(Crss@Vds) | 0.45pF@400V |
工作温度 | - |