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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>GPI65005DF
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GPI65005DF
场效应管(MOSFET)
GaNPower(镓能)
-
-
1.13克(g)
5001
-
: 14.16
: 5001

1

14.16

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10

12.4

124

30

11.35

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100

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1028

500

9.15

4575

1500

8.92

13380

image of 场效应管(MOSFET)>GPI65005DF
image of 场效应管(MOSFET)>GPI65005DF
GPI65005DF
GPI65005DF
场效应管(MOSFET)
GaNPower(镓能)
-
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1.13克(g)
5001
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)5A
功率(Pd)-
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)240mΩ@6V,2.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@1.75mA
栅极电荷(Qg@Vgs)2.6nC@6V
输入电容(Ciss@Vds)45pF@400V
反向传输电容(Crss@Vds)0.45pF@400V
工作温度-
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0755-83225727

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