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芯奇士电子
| ： | GPI65007DF |
|---|---|
| ： | 场效应管(MOSFET) |
| ： | GaNPower(镓能) |
| ： | - |
| ： | - |
| ： | 0.2克(g) |
| ： | 5001 |
| ： | - |
1
13.29
13.29
10
11.52
115.2
30
10.47
314.1
100
9.41
941
500
8.61
4305
1000
8.39
8390
| TYPE | DESCRIPTION |
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 7A |
| 功率(Pd) | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ@6V,2.5A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@3.5mA |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 2.1nC@6V |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 63pF@400V |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 0.6pF@400V |
| 工作温度 | - |
