:中文
  • 中文
  • 英文
  • 日语
  • Русский
  • français
  • اللغة العربية

芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>GPIHV30SB5L
  • image of 场效应管(MOSFET)>GPIHV30SB5L
GPIHV30SB5L
场效应管(MOSFET)
GaNPower(镓能)
-
-
1克(g)
5000
-
image of 场效应管(MOSFET)>GPIHV30SB5L
image of 场效应管(MOSFET)>GPIHV30SB5L
GPIHV30SB5L
GPIHV30SB5L
场效应管(MOSFET)
GaNPower(镓能)
-
-
1克(g)
5000
-
TYPEDESCRIPTION
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)30A
功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@3.5mA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.25nC@6V
输入电容(Ciss@Vds)236pF@400V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
captcha

0755-83225727

点击这里给我发消息
0