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芯奇士电子

  • image of 场效应管(MOSFET)>IV1Q12017T4G
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IV1Q12017T4G
场效应管(MOSFET)
inventchip(瞻芯电子)
-
-
7克(g)
5001
-
: 183.22
: 5001

1

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3

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IV1Q12017T4G
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7克(g)
5001
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TYPEDESCRIPTION
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
Vds-漏源击穿电压1200V
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0755-83225727

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