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芯奇士电子
| ： | IV1Q12160T3 |
|---|---|
| ： | 场效应管(MOSFET) |
| ： | inventchip(瞻芯电子) |
| ： | - |
| ： | - |
| ： | 6.11克(g) |
| ： | 5001 |
| ： | - |
1
34.7
34.7
10
33.12
331.2
30
32.16
964.8
100
31.36
3136
| TYPE | DESCRIPTION |
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
| 沟道类型 | 1个N沟道 |
| Vds-漏源击穿电压 | 1200V |
| Id-漏极电流(25℃) | 19A |
| Pd-功耗 | 134W |
